Σπίτι Προϊόντα Μας

Τσιπ αστραπιαίας σκέψης

(16)
Κίνα THGBM5G5A1JBA1R τσιπ αστραπιαίας σκέψης, νέα αρχική αποθήκευση αστραπιαίας σκέψης NAND bga-153 4gb προς πώληση

THGBM5G5A1JBA1R τσιπ αστραπιαίας σκέψης, νέα αρχική αποθήκευση αστραπιαίας σκέψης NAND bga-153 4gb

Τιμή: Negotiation
MOQ: 1 piece
Ωρα παράδοσης: 3-5 work days
Υψηλό Φως:αστραπιαία σκέψη τύπων NAND, τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
Flash Memory Chip, THGBM5G5A1JBA1R Memory BGA-153 4GB Nand flash New &original Storage Description: 24nm 128G THGBM4TODBGAIJ 64G THGBM4G9D8GBAII 32G THGBM4G8D4GBAIE 16G THGBM4G7D2GBAIE 8G THGBM4G6D2GBAIR 4G THGBM4G5D1HBAIR 2G THGBM4G4D1HBAIR 19NM 16G THGBM6G7T2JBAIM PRIME 8G THGBM6G6T1JBAIR 32G ... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα Αποθήκευση 2,5 ίντσα 7mm τσιπ Bga132 αστραπιαίας σκέψης NAND Th58teg9ddkba8h 64gb προς πώληση

Αποθήκευση 2,5 ίντσα 7mm τσιπ Bga132 αστραπιαίας σκέψης NAND Th58teg9ddkba8h 64gb

Τιμή: Negotiation
MOQ: 1 piece
Ωρα παράδοσης: 3-5 work days
Υψηλό Φως:τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης, τσιπ ελεγκτών αστραπιαίας σκέψης
Flash Memory Chip TH58TEG9DDKBA8H , 64G Nand BGA132 STORAGE Item Numbe: TH58TEG9DDKBA8H Manufacture: Toshiba Products Category: Memory & Flash Memory Form Factor: 2.5 Inch Heigh: 7mm Memory Type: FLASH - NAND (TLC) Memory Size: 2TB Dimensions: 100.45mm X 69.85mm X 7.00mm Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα W631gg6kb-12 ασφαλές παράλληλο τσιπ 1g 96wbga ελεγκτών αστραπιαίας σκέψης ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM προς πώληση

W631gg6kb-12 ασφαλές παράλληλο τσιπ 1g 96wbga ελεγκτών αστραπιαίας σκέψης ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM

Τιμή: Negotiation
MOQ: 1 package
Ωρα παράδοσης: 3-5 work days
Υψηλό Φως:αστραπιαία σκέψη τύπων NAND, τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
Flash Memory Chip W631GG6KB-12 , IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V 96-Pin WBGA Product Technical Specifications EU RoHS Compliant ECCN (US) EAR99 DRAM Type DDR3 SDRAM Chip Density (bit) 1G Organization 64Mx16 Number of Internal Banks 8 Number of Words per Bank 8M Numb... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα TC58BYG1S3HBAI6 τσιπ αστραπιαίας σκέψης υψηλής ικανότητας, Drive 67VFBGA λάμψης NAND 2gb προς πώληση

TC58BYG1S3HBAI6 τσιπ αστραπιαίας σκέψης υψηλής ικανότητας, Drive 67VFBGA λάμψης NAND 2gb

Τιμή: Negotiation
MOQ: 1 piece
Ωρα παράδοσης: 3-5 work days
Υψηλό Φως:αστραπιαία σκέψη τύπων NAND, τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
Flash Memory Chip TC58BYG1S3HBAI6 IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA he TC58BYG1S3HBAI6 is a single 1.8V 2 Gbit (2,214,592,512 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as (2048 + 64) bytes × 64 pages × 2048blocks. The device has a 2112-byte static register... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα HY5PS1G831CFP-S6 κινητό τσιπ 128MX8 0.4ns CMOS PBGA60 αστραπιαίας σκέψης της ΟΔΓ DRAM προς πώληση

HY5PS1G831CFP-S6 κινητό τσιπ 128MX8 0.4ns CMOS PBGA60 αστραπιαίας σκέψης της ΟΔΓ DRAM

Τιμή: Negotiation
MOQ: 1260PCS/BOX
Ωρα παράδοσης: 3-5 work days
Υψηλό Φως:μνήμη flash μάρκα IC, τσιπ ελεγκτή μνήμης flash
Flash Memory Chip HY5PS1G831CFP-S6 DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60 Features VDD = 1.8 +/- 0.1V•VDDQ = 1.8 +/- 0.1V All inputs and outputs are compatible with SSTL_18 interface 8 banks Fully differential clock inputs (CK, /CK) operation Double data rate interface Source synchronous-data transac... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα Mt29c2g48maklcji-6it-ND τσιπ 2G ΠΑΡΆΛΛΗΛΟ 166MHZ αστραπιαίας σκέψης υψηλής ταχύτητας RAM ολοκληρωμένου κυκλώματος προς πώληση

Mt29c2g48maklcji-6it-ND τσιπ 2G ΠΑΡΆΛΛΗΛΟ 166MHZ αστραπιαίας σκέψης υψηλής ταχύτητας RAM ολοκληρωμένου κυκλώματος

Τιμή: Negotiation
MOQ: 1000PCS
Ωρα παράδοσης: 3-5 work days
Υψηλό Φως:τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης, τσιπ ελεγκτών αστραπιαίας σκέψης
Flash Memory Chip MT29C2G48MAKLCJI-6IT-ND IC FLASH RAM 2G PARALLEL 166MHZ Part MT29C2G48MAKLCJI-6 IT Category Integrated Circuits (ICs) Title Memory Integrated Circuit (ics) FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Tray 1.7 V ~ 1.95 V Description Company Micron Technology, Inc Specifications Memory Type FLASH - ... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα W9751G6KB-25 ΠΑΡΆΛΛΗΛΗ βιομηχανία 84WBGA 400MHz αστραπιαίας σκέψης 512Mb μικροτσίπ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM προς πώληση

W9751G6KB-25 ΠΑΡΆΛΛΗΛΗ βιομηχανία 84WBGA 400MHz αστραπιαίας σκέψης 512Mb μικροτσίπ ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM

Τιμή: Negotiation
MOQ: 1 package
Ωρα παράδοσης: 3-5 work days
Υψηλό Φως:αστραπιαία σκέψη τύπων NAND, τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
Flash Memory Chip W9751G6KB-25 IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA Product Technical Specifications EU RoHS Compliant ECCN (US) EAR99 DRAM Type DDR2 SDRAM Chip Density (bit) 512M Organization 32Mx16 Number of Internal Banks 4 Number of Words per Bank 8M Number of Bits/Word (bit) 16 Data Bus Width (bit) 16 ... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα Mt29f2g08abaeah4-εσύ παράλληλη αστραπιαία σκέψη 63vfbga 2,7 Β ~ 3,6 Β NAND ολοκληρωμένου κυκλώματος 2gb Ε προς πώληση

Mt29f2g08abaeah4-εσύ παράλληλη αστραπιαία σκέψη 63vfbga 2,7 Β ~ 3,6 Β NAND ολοκληρωμένου κυκλώματος 2gb Ε

Τιμή: Negotiation
MOQ: 1260PCS/BOX
Ωρα παράδοσης: 3-5 work days
Υψηλό Φως:τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης, τσιπ ελεγκτών αστραπιαίας σκέψης
Flash Memory Chip MX30LF1208AA-XKI IC NAND FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA Product Technical Specifications EU RoHS Compliant ECCN (US) 3A991.b.1.a Cell Type SLC NAND Chip Density (bit) 2G Architecture Sectored Boot Block Yes Block Organization Symmetrical Address Bus Width (bit) 29 Sector Size 128Kbyte... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα W9712G6KB-25 ασφάλεια αστραπιαίας σκέψης NAND ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 128mb στο ενσωματωμένο σύστημα 84TFBGA προς πώληση

W9712G6KB-25 ασφάλεια αστραπιαίας σκέψης NAND ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 128mb στο ενσωματωμένο σύστημα 84TFBGA

Τιμή: Negotiation
MOQ: 1 packager
Ωρα παράδοσης: 3-5 work days
Υψηλό Φως:αστραπιαία σκέψη τύπων NAND, τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
Flash Memory Chip W9712G6KB-25, IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA Product Technical Specifications EU RoHS Compliant ECCN (US) EAR99 DRAM Type DDR2 SDRAM Chip Density (bit) 128M Organization 8Mx16 Number of Internal Banks 4 Number of Words per Bank 2M Number of Bits/Word (bit) 16 Data Bus Width (bit) 16... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα Mx30lf2g18ac-XKI παράλληλη βιομηχανία 2g 63vfbga ασφάλειας αστραπιαίας σκέψης τύπων NAND ολοκληρωμένου κυκλώματος προς πώληση

Mx30lf2g18ac-XKI παράλληλη βιομηχανία 2g 63vfbga ασφάλειας αστραπιαίας σκέψης τύπων NAND ολοκληρωμένου κυκλώματος

Τιμή: Negotiation
MOQ: 1 piece
Ωρα παράδοσης: 3-5 work days
Υψηλό Φως:αστραπιαία σκέψη τύπων NAND, τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
Flash Memory Chip MX30LF2G18AC-XKI IC Nand Flash 2G PARALLEL 63VFBGA MX30LFx Series 2 Gb (256 M x 8) 3.6 V Surface Mount NAND Flash Memory -VFBGA-63 Mfr Part#: MX30LF2G18AC-XKI Mounting Method: Surface Mount Package Style: VFBGA-63 Packaging: TRAY Std Packaging Qty: 220 Memory Density: 2 Gb Memory O... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα W9725g6jb25i-ND τσιπ αστραπιαίας σκέψης, λάμψη ΠΑΡΆΛΛΗΛΟ 84WBGA NAND ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 256mb προς πώληση

W9725g6jb25i-ND τσιπ αστραπιαίας σκέψης, λάμψη ΠΑΡΆΛΛΗΛΟ 84WBGA NAND ολοκληρωμένου κυκλώματος DRAM 256mb

Τιμή: Negotiation
MOQ: 1 package
Ωρα παράδοσης: 3-5 work days
Υψηλό Φως:αστραπιαία σκέψη τύπων NAND, τσιπ ελεγκτών αστραπιαίας σκέψης
Flash Memory Chip W9725G6JB25I-ND,IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA​ Basic Features Type DDR2 SDRAM Organisation x16 Speed 400 MHz Voltage 1.8 V Package WBGA-84 Description: The W9725G6JB is a 256M bits DDR2 SDRAM, organized as 4,194,304 words x 4 banks x 16 bits. This device achieves high speed transfer... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα Τσιπ αστραπιαίας σκέψης K4W4G1646E-BC1A 4G, γραφική ενότητα GDDR3 256Mx16 λάμψης NAND προς πώληση

Τσιπ αστραπιαίας σκέψης K4W4G1646E-BC1A 4G, γραφική ενότητα GDDR3 256Mx16 λάμψης NAND

Τιμή: Negotiation
MOQ: 1 pieces
Ωρα παράδοσης: 3-5 work days
Υψηλό Φως:αστραπιαία σκέψη τύπων NAND, τσιπ ελεγκτών αστραπιαίας σκέψης
Flash Memorry Chip K4W4G1646E-BC1A , Graphic memory GDDR3 256Mx16 4G Category DRAM Class Graphic DDR Description GDDR3 256Mx16 Part No. K4W4G1646E-BC1A Brand Samsung Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα Mx30lf1208aa-XKI μετακινούμενη 512mb ενότητα παράλληλο 63vfbga αστραπιαίας σκέψης NAND ολοκληρωμένου κυκλώματος προς πώληση

Mx30lf1208aa-XKI μετακινούμενη 512mb ενότητα παράλληλο 63vfbga αστραπιαίας σκέψης NAND ολοκληρωμένου κυκλώματος

Τιμή: Negotiation
MOQ: 1 piece
Ωρα παράδοσης: 3-5 work days
Υψηλό Φως:αστραπιαία σκέψη τύπων NAND, τσιπ ελεγκτών αστραπιαίας σκέψης
Flash Memory Chip MX30LF1208AA-XKI IC NAND FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA Basic Description: MX30LF Series 3.6 V 512 Mbit (64 M x 8 bit) NAND Flash Memory - VFBGA-63 Mfr Part#: MX30LF1208AA-XKI Mounting Method: Surface Mount Package Style: VFBGA-63 Packaging: TRAY Std Packaging Qty: 550 Product Highlig... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα K9f5608uod-PCBO τσιπ 32M ελεγκτών λάμψης NAND οκτάμπιτη 16M Χ δεκαεξάμπιτη αστραπιαία σκέψη NAND Χ προς πώληση

K9f5608uod-PCBO τσιπ 32M ελεγκτών λάμψης NAND οκτάμπιτη 16M Χ δεκαεξάμπιτη αστραπιαία σκέψη NAND Χ

Τιμή: Negotiation
MOQ: 1 pieces
Ωρα παράδοσης: 3-5 work days
Υψηλό Φως:αστραπιαία σκέψη τύπων NAND, τσιπ ελεγκτών αστραπιαίας σκέψης
Flash Memorry Chip K9F5608UOD-PCBO 32M x 8 Bit 16M x 16 Bit NAND Flash Memory Feature: Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα TC58NVG0S3HBAI4 τσιπ αστραπιαίας σκέψης, τσιπ 1G ΠΑΡΆΛΛΗΛΟ 63TFBGA αποθήκευσης λάμψης ολοκληρωμένου κυκλώματος προς πώληση

TC58NVG0S3HBAI4 τσιπ αστραπιαίας σκέψης, τσιπ 1G ΠΑΡΆΛΛΗΛΟ 63TFBGA αποθήκευσης λάμψης ολοκληρωμένου κυκλώματος

Τιμή: Negotiation
MOQ: 1 piece
Ωρα παράδοσης: 3-5 work days
Υψηλό Φως:τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης, τσιπ ελεγκτών αστραπιαίας σκέψης
Flash Memory Chip TC58NVG0S3HBAI4 IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA Categories Integrated Circuits (ICs) Memory Manufacturer Toshiba Memory America, Inc. Series - Packaging Tray Part Status Active Memory Type Non-Volatile Memory Format FLASH Technology FLASH - NAND (SLC) Memory Size 1Gb (128M x 8) Write ... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος
Κίνα Χαμηλής ισχύος ολοκληρωμένο κύκλωμα SDRAM DDR2 τσιπ 64Mx16 BGA84 W971GG6JB-18 ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης προς πώληση

Χαμηλής ισχύος ολοκληρωμένο κύκλωμα SDRAM DDR2 τσιπ 64Mx16 BGA84 W971GG6JB-18 ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

Τιμή: Negotiation
MOQ: 1 packager
Ωρα παράδοσης: 3-5 work days
Υψηλό Φως:αστραπιαία σκέψη τύπων NAND, τσιπ ελεγκτών αστραπιαίας σκέψης
Flash Memory Chip W971GG6JB-18 , IC SDRAM DDR2 64Mx16 Memory chip BGA84 Features Type DDR2 SDRAM Organisation x16 Speed 1066 MT/s Voltage 1.8 V Package WBGA-84 The W971GG6JB is a 1G bits DDR2 SDRAM, organized as 8,388,608 words x 8 banks x 16 bits. This device achieves high speed transfer rates up t... Δείτε περισσότερα
➤ Επίσκεψη Δικτυακός τόπος